芯片毁于噪声:FinFET使噪声效应叠加

木工雕刻机 | 2020-12-27

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lol2020全球总决赛下注:FinFET技术已经成为工艺尺寸后增大的主要动力。 在可以意识到的未来,极低的工作电压和漏电流使FinFET工艺成为COS工艺的标准架构,ANSYS应用于工程总监ArvindShanmugavel,但上述优点是成本高昂的电源诺另一方面,10纳米或7纳米的FinFET器件在Vsupply为500mV时也能可靠地工作。

另一方面,阈值电压(Vt )不追随工艺节点的进展而成比例上升。 这样电压容限(Vsupply-Vt )急剧增加,设计工程师必须特别注意电源噪声的变化。

平面工艺和FinFET (右)由于FinFET工艺独特的特性带来了更多的困难。 FinFET器件温度高,因此红噪声不减少,Cadence电源核(signoff )产品市场总监JerryZhao认为,FinFET器件的三维散热片结构难以被热掩埋,这些热在横向散热片结构上温度越高,噪音就越少。 Naviasky补充说,FinFET架构没有足够的去耦电容,因此不能干净地去除噪声。

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有些过程获得了memcap电容器,但现在没有其他一系列问题。 FinFET没有带来新的噪声,但该技术使噪声问题更好,通过去耦电容的增加虐待开发者。

在1x纳米节点上,不同的问题开始相互影响。 自身热效应很差,但接触到电跳水效果,两者的转换影响更差(1 2以上)。 Naviasky后,我们的规则是避免自热减少温度达到5度。

否则,近期处理噪音问题,即使电入侵问题也不能让你信服。。

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