混合奈米晶体LED设计可大幅提高效率_首页

木工雕刻机 | 2021-04-11

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【lol2020全球总决赛下注】据说,中国研究人员可以使用混合纳米晶体的方法,在氮化铟(InGaN)/氮化镓(GaN)蓝光LED结构的纳米孔中填充纳米晶体,从而大大提高白光LED的效率。南京大学(NJU)研究人员在《应用于物理快报》 (AppliedPhysicsLetters)发表的研究报告中指出,提高颜色转换效率(CCE)的关键是融合不同的非电磁辐射共振能量传输(Blu-ray InGaN/GaNLED)。利用载体流动模式,研究人员发现NRET需要防止中介光源辐射及转换阶段造成的损失,并以非电磁辐射和共振的方式转换能量,向具有更高量子亲和性的纳米晶体共振。

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研究人员利用金属有机化学气相沉积法在C平面图案蓝宝石基底生长InGaN/GaNMQW外延晶圆,产生具有蓝色纳米孔(NH)结构的NH-LED,各LED有效面积为300300米2。利用硬UV烧结纳米压印微阴影技术,在活动层上展开图案,制作直径为300nm、间距约为600nm的六角形纳米孔光栅。然后,研究人员将CdSe/ZnS核心/外壳纳米晶体溶液的液滴填料放入该元件中。

LED裸晶(A)和混合InGaN/GaNNH-LED(b)的SEM图像表明,该组件结构具有纳米晶体或不得已的微晶体的形式。进一步缩放到(c)和(d)。图1(e)表示暴露的六角形纳米孔晶格,图1(f)表示CdSe/ZnS核/壳5纳米晶体直径为10纳米,紧贴PCB的SEM。

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研究人员在生产填满CdSe/ZnS核心/外壳NC的蓝色InGaN/GaN纳米孔LED时仔细观察和分析的另一个效果是,当诱导效率大量通过电流密度时,减少活动区域发生的载波流动,从而降低该组件的整体效率。利用分析与控制元件LED裸晶混合NH-LED的InGaN/GaNMQW载体浓度,研究人员发现,可以将混合NH-LED的载体浓度降低到NRET,从而诱导效率上升。研究人员还仔细观察了混合NH-LED中纳米晶体辐射的量子效率为44%,是不得已的微孔图案混合LED的2倍。

在这种混合结构中,他们注意到NH-MQ层的刺激者通过NRET地下道的可能性更大,NRET衰减率比纳米孔MQWLED的原始决定分布慢3-4倍。_lol2020全球总决赛下注。

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