硅应用新进展激光写入成就微电子下一场革命

木工雕刻机 | 2021-04-18

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lol2020全球总决赛下注_最近,来自法国、卡塔尔、俄罗斯和希腊的科学家MargauxChanal在最近一期《自然通讯》上lol2020全球总决赛下注发表了一篇名为《大自然通讯》的论文。作为对论文的回应,在之前尝试在硅中发射超强慢激光加载的过程中,飞秒激光无法在结构上处理体硅的问题取得了突破。利用极端的NA值让激光脉冲可以达到足够的电离来破坏硅中的化学键,导致硅材料永久的结构转变。

自20世纪90年代末以来,研究人员仍在将非相同的飞秒激光脉冲加载到通常为绝缘体的宽带隙块体材料中。但到目前为止,对于窄带隙的材料,如硅等半导体材料,仪器的超快激光加载是无法构建的。

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人们仍然致力于为3D激光加载在硅光子学中的应用和半导体新物理现象的研究创造更多的条件,从而扩大硅应用的巨大市场。在这个实验中,科学家发现飞秒激光即使在技术上将激光能量提高到仅次于脉冲强度,也不能在结构上处理体硅。

然而,当飞秒激光被超快激光取代时,诱导硅结构的操作者在物理上是不能容忍的。他们还发现,激光能量必须以缓慢的方式在介质中传输,以最小化非线性吸收的损失。

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原来,以前工作中遇到的问题源于激光的小数值孔径(NA),即讨论激光传输时可以诱导的角度范围。研究人员利用硅球作为液体浸没介质,解决了数值孔径问题。

当激光在球体中心讨论时,硅球几乎诱发反射,大大增加了数值孔径,从而解决了硅光子加载的问题。事实上,在硅光子学的应用中,通过开发3D激光加载,有可能大大改变硅光子学领域的设计和制造方法。硅光子学被认为是微电子学的下一次革命,它在芯片层面上影响着激光器最终的数据处理速度。

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3D激光加载技术的研究和发展为微电子学打开了一扇新的大门。-lol2020全球总决赛下注。

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