首页-美光3DNAND创新低成本制程分析

木工雕刻机 | 2021-05-28

lol2020全球总决赛下注首页_美光最近开始大规模生产其32层(32L)3DNAND闪存。包括该组件在内的首批商业下游产品之一是关键的750 GB 2.5英寸固态硬盘(SSD)。

lol2020全球总决赛下注

lol2020全球总决赛下注

lol2020全球总决赛下注

如图1右图所示,该产品的往复加载/加载速度约为530MB秒和510MB每秒钟;它的功耗比普通硬盘(HDD)高90倍,相信更轻。关键的固态硬盘的价格为200美元,这使得它成为笔记本应用中最没有吸引力的选择,我们发现越来越多的计算机设备开始使用固态硬盘而不是传统的硬盘。HDD可能会逐渐被市场淘汰,但必须否认的是,所有参与的厂商依然致力于打造自己的创意,HDD的成本依然比SSD便宜。

lol2020全球总决赛下注

因此,我们预计硬盘在短期内仍将占据市场主导地位。图1:微米关键CT 750 mx300 SSD 1750 GBSD;图2:右图显示了Crisyl 750 GB SSD的前后电路板废料,可以看到其中包括8微米NAND闪存PCBs。

lol2020全球总决赛下注

lol2020全球总决赛下注

lol2020全球总决赛下注

这个数字相当于三星(Samsung)T32tbssd technixT发现的四个48层(48L)3 DNAND PCB数量的两倍。所以从PCB数量来看,三星在每块PCB的内存容量上还是有优势的。但从晶圆层面来看是否在某种程度上领先于Micron?图2:使用Micron和三星的CrucialSSD产品的前后电路板图已经需要给每个NANDPCB增加16个芯片,如图3右图所示。这意味着每个面积为99.8平方毫米的芯片可以获得32GB的存储容量,或者说每平方毫米大约320MB。

lol2020全球总决赛下注

关键的750 GB SD包括8微米印刷电路板,其中一个印刷电路板可以容纳2个面积为165平方毫米的晶圆。这意味着内存的存储密度为284MB/mm2,高于三星的320MB/mm2。

lol2020全球总决赛下注

但三星第二大优势仅在于48层结构和20纳米(nm)半位线间距。相比之下,美光的40纳米半位线间距更牢固。

lol2020全球总决赛下注

lol2020全球总决赛下注首页

lol2020全球总决赛下注

或许我们应该对比一下此前三星发布的32层(32L)V-NAND。该系列产品于2014年发布,在某种程度上以20nm半位线的间距生产。_lol2020全球总决赛下注首页。

lol2020全球总决赛下注

本文来源:lol2020全球总决赛下注-www.game3117.com